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近红外光源由于大的穿透深度、对生物体损坏低、弱的热效应等特点,从而在食品分析、温度传感和近红外成像等领域得到了广泛的应用。然而,传统的近红外光源,如钨丝灯和卤素灯具有大体积、低的发光效率、短的使用寿命等缺点。最近,将商用LED芯片与高效近红外发光材料相结合的近红外荧光粉转换发光二极管(pc-LED)由于其独特的优势,包括低成本、结构紧凑、效率高和长使用寿命等优点,在近红外光源的应用中具有极大的潜力。作为NIR pc-LED的重要组成部分,开发具有高发光效率和优异稳定性的近红外发光材料对制备高性能NIR pc-LED起着至关重要的作用。近些年来,稀土离子(Ln3+)掺杂双钙钛矿材料由于其优异的稳定性和独特的光学特性从而得到了广泛的关注。最近的研究表明,ns2金属离子(Sb3+、Bi3+)和Ln3+共掺杂的双钙钛矿可以有效增强Ln3+的NIR发光强度。然而,这些材料的激发波长被限制在紫外光范围内(< 400 nm),这对实际应用提出了挑战。点击下方阅读原文查看通知全文↓↓↓↓↓↓阅读原文
发布时间: 2024 - 03 - 22
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固态激光照明器件由蓝色激光二极管(B-LD)和黄绿色荧光转换器(Y/LuAG:Ce)结合所得,在高功率照明/显示的应用引起了人们的高度关注。Y/LuAG:Ce作为应用最广泛的荧光材料,已经在白光LED领域得到广泛的应用,若要实现其在激光照明/显示中的应用,还有三方面的性能亟待改进:(1)提高荧光材料的蓝光吸收率和黄绿光的提取率;(2)增加荧光材料的热稳定性,由于目前高功率LD中使用的激光功率密度大,急需进一步抑制材料的热致光衰效应;(3)提高荧光材料转换光的光色品质。因为Y/LuAG:Ce的发射光谱缺少红光成分,所以与蓝光搭配输出的白光显色指数较低,亟需增加红光波段的发光以提升输出白光的显色性能。点击下方阅读原文查看通知全文↓↓↓↓↓↓阅读原文
发布时间: 2024 - 03 - 21
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来源:中国科学技术大学化学与材料科学学院近日,中国科学技术大学姚宏斌课题组基于新型铜碘杂化团簇构筑了低成本、高效率、高亮度暖白光发光二极管(LED)器件。得益于所设计的铜碘杂化团簇具备的高构型熵、高发光效率和宽光谱发射等特性,实现了高效暖白光LED器件无掺杂、低成本、大面积的溶液法涂布制备,是非铅金属卤化物LED领域的新突破。相关研究成果以《High efficiency warm-white light-emitting diodes based on copper–iodide clusters》为题,于12月19日发表在Nature Photonics杂志上。如今LED照明技术和产业取得了长足的发展,其中溶液法涂布制备的LED器件由于制造工艺简单和可操作性强,被认为是实现下一代大面积固态照明的低成本技术路线。目前,基于铅卤化物钙钛矿材料、有机半导体材料以及各种胶体核壳量子点材料的溶液法LED器件已经逐步实现了较高的电致发光性能。然而,铅卤化物钙钛矿和CdSe量子点等含有重金属材料具备一定的生物毒性因而面临着严峻的环境问题;基于低毒金属元素的有机发光分子,InP量子点以及ZnSe量子点等材料的溶液法LED器件由于材料合成制备工艺复杂,生产成本较高,使得其在大规模制造方面仍然面临较多的问题。因此,制备和开发价格低廉、环境低毒且易规模化生产的高效发光材料并实现高效溶液法LED器件是...
发布时间: 2024 - 03 - 21
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来源:上海科技大学氢能是一种环保无污染和具备高能量密度的能源。基于无机半导体的光催化分解水过程是一种绿色环保的制氢工艺,可将太阳能转化并储存在氢气分子中。在光催化分解水反应中,半导体催化剂的光吸收、体相电荷分离和表面电荷注入被普遍认为是实现高效转换的三个关键因素。目前常见的半导体材料难以同时满足宽光谱吸收和高电荷分离效率这两大关键点。近日,上海科技大学物质科学与技术学院马贵军课题组采用熔盐辅助固相法成功地合成了一种窄带隙的氧硫化物纳米片Y2Ti2O5S2(YTOS),发现这一材料具有晶面选择性电荷迁移特性,表现出优异的体相电荷分离能力,并进一步显著提升光催化分解水反应活性,实现高效的太阳能制氢。这项研究首次证实了钙钛矿氧硫化物光催化剂的各向异性电荷迁移特性,对于提升这一类材料中的电荷分离和表面催化效率至关重要。成果发表于化学领域学术期刊《美国化学会志》(Journal of the American Chemical Society)。本工作证明了YTOS纳米片的{101}和{001}晶面在光催化过程中分别起到光还原和光氧化的作用,即YTOS纳米片在光激发下产生的电子和空穴会自发地分别朝着这两个晶面迁移,显示出这种氧硫化物具有各向异性的电荷迁移性质。基于密度泛函理论(DFT)计算揭示了YTOS的{101}和{001}晶面之间存在带能级差异,促进了电荷在晶面之间的迁移。这种各向异性电...
发布时间: 2024 - 03 - 20
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